测算 2025-2027 DRAM 总需求 40/52/69 EB,总供给 41/48/68 EB,2026-2027 供需缺口分别为 -7.22%、-1.77%。AI 推理需求爆发是主驱,对存储拉动明显高于消费电子下滑。供需紧张持续至 2027 年之后。
HBM 份额变迁:2022 海力士 50%/三星 40%/美光 10% → 2024 海力士 52.5%/三星 42.4%/美光 5.1%。2025Q2 出货份额 62%、Q3 营收份额 57%。先发 HBM2E/HBM3/HBM3E + MR-MUF 良率 + 与台积电/英伟达深度绑定是核心。
2026 资本开支较 2025 大幅增加,主要用于产能扩容与基建,但维持严格投资纪律避免无序扩产。到 2027 初 1c DRAM 产能达 17-20 万片/月,龙仁 Y1 工厂 2027 投产。重点保障先进制程 DRAM 与 HBM 产能。
高盛 5/31 存储深度:DRAM 2026-2028 缺口 5.0%/6%/4%,2026 均价同比 +316%、2027 +27%,营业利润率维持 80%;HBM 2027 均价 +44%、市场规模 1160 亿美元(翻倍)→2028 增至 1680 亿美元。产能扩张放缓,2026-2030 常规 DRAM 产能 CAGR 仅 8%。
Conventional DRAM 合约价 Q1 季增 93-98% 推动营收暴涨。三星营收 373.2 亿美元(市占 38.5%),海力士 279.8 亿美元(28.8%,受 HBM 合约价下滑抑制涨幅),美光 217.5 亿美元(22.4%)。原厂将新增供给优先给 AI Server 大容量 RDIMM。
海力士 HBM 晶圆投入占比从 2025Q1 的 25.9% 持续提升至 2026Q1 的 29.5%、预计 2026Q4 达 33.1%,行业最高。英伟达 HBM4 超 2/3 供应份额锁定海力士,Kyobo 证券预测海力士将抢占 60%+ 全球 HBM4 份额。HBM4E 较预期提前 3 个月于 6 月送样、2027 量产。
极度紧缺延续,但消费级需求下修 + 高基期致涨幅收敛。PC DRAM 受 OEM 库存回补支撑但整机涨价压制出货;服务器 DRAM 供不应求延续至 2027。NAND Q3 +10-15%。三星 Q3 通用 DRAM ASP 力求环比 +20%、LPDDR +20%+。
野村 6/24 将 Q3 DRAM 涨价预期从 +5% 大幅上调至 +24%、远超市场预期,预测 HBM 要追平通用 DRAM 利润率需涨价超 100%(2027 有望实现);Jefferies 预计 Q3 DRAM/NAND 环比 +40-50%、Q4 收窄至 30-40%。与 TrendForce 13-18%'涨幅收敛'判断形成分歧——价格上行仍有惊喜空间,弱化'周期见顶'担忧。
海力士取消长约价格上限,与微软、谷歌签 5 年长协,预付比例从历史 <5% 跳升至 10-30%——把周期生意锁成'收租金'。HBM4 当前价约 21.4 美元/GB,预计明年中前再涨 60-70%;HBM 订单已排至 2027 下半年,2026 底 HBM 月产能目标 25 万片(较 2025 +50%)。对照美光已与 16 家客户签覆盖至 2030 底的 SCA。
8/4 闪存峰会 FMS 2026,SK 海力士联合闪迪(SanDisk)发布下一代 HBF(High Bandwidth Flash)首个标准规范,由 OCP 正式发布为开放标准。单堆栈最高 512GB、带宽 0.4-3.0 TB/s,定位介于 HBM 和 SSD 之间。HBF 联盟初始成员包括谷歌和 Tenstorrent。海力士从 HBM 向 HBF 延伸,巩固 AI 存储技术代际领先。
Q3 DRAM 合约价预测多方分歧扩大:瑞银 Q3 DDR 合约均价环比 +32%、Q4 再 +18%;Jefferies Q3 +40-50%、Q4 +30-40%;TrendForce +13-18%(PC DRAM 上调至 15-20%)、野村 +24%。仅摩根士丹利警示 Q4 合约价可能见顶、盈利上调率从 92% 峰值回落至 77%。三星 Q3 DRAM ASP 计划调涨最高 20%,但 OPPO/vivo 已正式拒绝三星 Q3 涨价报价。现货端消费级 16GB DDR5 从高点约 1500 元回落至 1080-1200 元(同比仍 +166%)。
高盛 8/7 测算当前 DRAM 供需缺口 4.9%、NAND 缺口 4.2%,均为近 15 年最高水平;涨价延续到 2027 全年。预计 2027 年 HBM 均价同比 +87-100% 至每 GB 约 2.9 美元。强化 HBM 产能售罄至 2027 的需求侧支撑。
UBS 8/7 月报:尽管英伟达 Rubin Ultra 单 GPU HBM 容量从原预期 768GB 降至 384(HBM4 8-Hi)→512GB(HBM4E),但 2027 年英伟达 GPU 出货量预估从 1,100 万颗上调至 1,260 万颗,英伟达 2027 HBM 消耗量从 24.0bn 上调至 25.1bn Gb、谷歌 TPU 从 17.4 上调至 19.2bn Gb——2027 年全球 HBM 需求 61.5bn Gb、同比 +91%;结构上英伟达占比 58%→41%、谷歌 18%→31%、AMD 7%→12%。2027 年 DRAM 行业 bit 需求增速上调至 +40%,Server DDR 占比 37%→48%;CXMT 扩产尚不足以打破供需平衡。HBM 价格:预计 2027 年 HBM4E 约 3.9 美元/Gb(+75%)、HBM4 约 3.5 美元/Gb(+60%)。
JPM 8/9:2027 年全球 DRAM 需求增速约 31% vs 供给约 24.4%,缺口约 7 个百分点、为未来三年最突出;DRAM 市场规模 2026 年 6,341 亿美元→2027 年 9,829 亿美元。
Counterpoint 8/10:三星 Q2 2026 以 39% 份额重夺 DRAM 全球第一,美光 25% 迫近 SK 海力士 26%。海力士 DRAM 份额较 2025Q2 峰值 39% 下滑约 1/3,分析师归因 HBM ASP 下滑和早期 LTA 以较低价格签署。HBM3e 占市场 96.3%、HBM4 仅 0.6%(验证阶段)。海力士 HBM 晶圆投入占比从 25.9%(2025Q1)升至 29.2%(2026Q1)行业最高。
摩根大通 8/10-11 上调 2026-2028 年存储市场预测 48%,逐条反驳市场三大担忧(HBM 定价/54 万亿扩产/股东回报)。预计 HBM 混合 ASP 2027 年同比 +42% 至约 2.8 美元/Gb、2028 再 +22% 至 3.4 美元/Gb;但预计三星 HBM 份额将达 37-38% 基本追平海力士,海力士 HBM 份额从 2025 年 60% 降至 2028 年 42%、在英伟达供应中从 2023 年 91% 降至 2026 年 54%。认为'2027 HBM4 定价为竞争对手一半'传言不可信,但部分投资者对 2027 ASP 涨幅预期也过高。三大催化剂将至:Q3 末股东回报方案/HBM4 下半年放量/DRAM 涨价延续。
董事长崔泰源 8/14 CNBC 专访定调 2027 年为近几年最严重内存短缺年,AI 服务器需求爆发使 HBM 供不应求、科技巨头提前赴韩抢签 LTA 但产能仍不足。考虑以合资方式建新厂以降低资本支出和产能过剩风险。未来五年投入高达 7200 亿美元扩产。管理层信心极强。
三星/海力士/美光已基本完成 2027 全年 DRAM 与 HBM 产能分配谈判,多数客户最终配额仅为其最初请求量的 60%-70%——美光 CCO 8/11 称部分客户'出高价也拿不到目标采购量的一半'。SK 海力士已与约 10 家核心客户完成五年期 LTA 谈判,谷歌/微软/英伟达等签 3-5 年长协锁产能(后半段为自媒体口径,待核实)。
DXI(存储价格综合指数)8/7 为 956,319 → 8/14 为 976,589 → 8/21 突破 100 万点至 1,002,270,两周涨幅约 4.8% 仍创新高。现货分化:DDR5 16Gb 现货 8/14 达 52.73 美元(3 月初约 39.67),但华强北消费级 DDR4 16GB 零售 8/20 较 7 月高点回落 15-20%——'AI 高端涨、民用回调'双轨分化,涨价的广度在收窄。
英伟达 FY27Q2 营收 962 亿美元、同比翻倍、连续四季度加速;预计 FY28 营收同比约 +70%,称供给为核心瓶颈;受全球存储芯片持续超预期涨价影响,毛利率短期承压(Q3 约 74%、Q4 71-72% 触底)——买方龙头公开承认'存储涨价挤压毛利率、约束在供给而非需求',是海力士 LTA 议价权最直接的第三方背书。同期 Anthropic 与英伟达支持的 Lambda 签 350 亿美元算力协议(年内两笔合计 800 亿美元,WSJ 8/31),算力军备竞赛继续推升 HBM 需求。
CEO 郭鲁正预测全球内存芯片短缺将持续到 2030 年底,较崔泰源 8/14'2027 年最严重短缺'进一步延长周期判断;同期表态对进一步投资美国半导体持开放态度,正全球寻找研发/测试选址(电力、水、政府激励是关键考量)。管理层短缺周期判断是 LTA'收租金'叙事的时间底座,也是激进扩产(光州/龙仁并行)的内部依据。
36GB HBM3E 现货约 2,100 美元(约 287 万韩元),为长协价(50-70 万韩元)的 4-5 倍;16 层 HBM4 现货高达 3,500 美元(约 480 万韩元)——HBM4 良率低于 HBM3E、生产消耗更多 DRAM,叠加长协锁产挤压现货供给,连英伟达/微软/谷歌等大客户都拿不到合约约定的全部供货量。同期三星已将 2031 年前约 70% 产能以 LTA 锁定。现货与合约的巨大裂口显示真实稀缺度远超 LTA 报告均价,2027 续约期重定价弹性大;供应压力正从 HBM 蔓延至一般 DRAM。
集邦 9/1:8 月 DDR4 8Gb(1Gx8)合约价 25 美元、环比 +4.2%(上月 24 美元,较 2016/6 统计起点 2.90 美元涨超 7 倍),涨幅在连续两位数上涨后再度放缓;据此将 Q3 PC DRAM 合约价涨幅预期上调至 18-23%——高端与服务器续涨、通用涨势放缓,'AI 高端涨、民用收敛'分化延续。NAND 128Gb 30.5 美元(+1.4%)涨势放缓但续创新高。
9/1 公布 8 月进出口动向:半导体出口 466.5 亿美元、同比 +209%,年内第五次刷新月度纪录——HBM/DRAM 缺口下量价齐升的出口端验证,是短缺叙事最硬的宏观数据,也是 9/7 韩股芯片领涨的重要基本面铺垫。
Counterpoint:Q2 HBM 份额海力士 50%(去年同期 64%)、三星 33%(Q1 21%)、美光 18%;三星 HBM4 出货占比从 Q1 约 5% 跃升至 Q2 约 35%、良率提升 5ppt+,预计 HBM4 占三星下半年 HBM 营收 60%+。份额侵蚀从 DRAM 总盘(海力士 26% vs 三星 39%)蔓延至 HBM 细分盘——LTA 低价锁量+三星 HBM4 追赶双因,'份额换利润'权衡加剧。
HBM4 现货单价约 2100 美元起、16 层高达 3500 美元,相当于长期合同价 4-5 倍——长协与现货的巨大价差是 LTA 定价权争议的核心。供应压力从 HBM 蔓延至一般 DRAM:HBM 生产吸收大量 DRAM 产能、HBM4 良率低于 HBM3E 且耗用更多 DRAM,短缺进一步恶化;三星与海力士均认为短缺短期无法解决。台媒 8/4:三大原厂 2027 年 DRAM 与 HBM 产能已完成分配谈判、全数售罄(交易周期持续至 2027/12)。
CFM:2026Q2 全球 DRAM 市场规模 1470.24 亿美元、环比 +55.9% 创历史新高(对照 TrendForce 口径 Q1 约 970 亿);原厂扩大服务器 DRAM/HBM 高附加值产品销售,Q2 服务器/PC DRAM ASP 环比 +40-50%(较 Q1 翻倍涨幅收敛)。展望 Q3:原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限、非长协涨价空间逐季缩小,预计 ASP 环比续涨但增速趋缓、bit 出货正增长下销售收入再创新高。
海力士 Q2 DRAM 营收环比 +37.9% 至 385.9 亿美元,但份额由 28.8% 降至 24.9%、被三星(约 39%)反超——HBM 长约锁定大量产能、涨价弹性集中在一般 DRAM,海力士吃不到现货弹性,是'高价 HBM 换低价份额'的甜蜜负担。中金 8/25 框架下,LTA 占比提升正是利润确定性的来源,份额数字是表象。
国海 9/16《国产算力的 HBM 供应何解》:海力士 HBM 月产能 2025 年底约 15 万片(占 DRAM 总产能 54.5 万片约 28%),DRAM 总产能 2026 年底增至 60 万片/月、其中 90% 以上增量用于 HBM——即 HBM 月产能 2026 年底达 20 万片(+33%)。2026 年 HBM 出货约 2/3 分配英伟达;与十家大客户签 LTA;三星同期扩产至 25 万片/月(+47%)追赶。2027 年产能已分配完毕,客户配货仅获请求量 60-70%。
路透 9/18 援引三位知情人士:SK 海力士正与 Intel 商讨协议,方案包括租赁 Intel 俄亥俄工厂部分设施、或与 Intel 及大型云服务商组建合资企业——若达成将首次在美本土生产存储芯片。谈判处探索阶段,韩国政府或以'国家核心技术'外流审查反对;崔泰源 7 月已表态'条件允许应在美国建厂'。同日财联社:子公司 Solidigm 考虑在纽约州北部新建 NAND 工厂(现仅大连基地)。呼应特朗普政府施压半导体在美建厂、印第安纳封装厂 2028H2 量产之后的产能本土化布局。
马斯克:存储供给每年增长约 20% 而需求增速 200%+,供需严重失衡、涨价是经济学基本规律。三大厂 DRAM 及 HBM 2027 年全年产能已全数分配完毕,NAND Flash 产能亦基本预售一空;2030 年前 AI 需求能见度清晰,投资回收期从 3 年缩短至 2-2.5 年。
受供给持续紧张、高端 HBM 占比提升叠加 Q2 价格低于预期的基数效应,2026 年内价格仍环比上行但涨价节奏大概率放缓;HBM4 占比持续抬升,下半年 HBM 均价与利润率高于上半年;2027 年传统 DRAM 与 HBM 市场供给双紧、高端产品结构占比提升,共同推动 HBM 均价继续上涨。服务器内存(含 HBM)占 DRAM 收入约 60%,LTA 长期覆盖率有望达至少 50%(公司未设硬性目标)。
长鑫科技(CXMT)9/24 科创板申购。手机 LPDDR6 已形成'双供'格局(长鑫+海力士,新折叠机中海力士占比更多);CXMT 同时进军 NAND,低阶 NAND 市场或被最先压缩。中国存储供给是 2027+ 全球格局的最大远期变量,对三大厂低阶产品线构成结构性压力。
韩国券商 KB Securities 9/28 报告:AI 基础设施投资以前所未有的速度扩张,存储芯片市场面临严重供应短缺,三星与海力士库存已降至不足 10 天供应量、预计明年可用货源明显不足;HBM4 所需晶圆约为传统 DRAM 的 3 倍,向 HBM4 过渡进一步挤压传统 DRAM 产能。两家股价较高点分别回调约 28%/40%,但分析师认为基本面稳健——库存数据是'短缺延续'最硬的量化注脚。
国海证券 9/29 周报:三星电子预计 2027 年 HBM4 系列产量将比 2026 年增加至少 2 倍——配合此前业界'三星 HBM4 产能提升 40%、全力抢夺英伟达订单'的报道,追赶从良率改善进入产能军备阶段。对照 Counterpoint Q2 HBM 份额(海力士 50%/三星 33%),若三星翻倍兑现,2027 HBM 份额战将进一步白热化(瑞银已测 2027 三星 41% 反超海力士 37%)。
每经 10/2:三星正与主要客户谈判 2027 年 HBM4 年度供应长约,报价定于 4-5 美元/Gb 区间中高位(至少 4.5 美元),较现行 HBM3E 约 1.5 美元/Gb 涨幅超三倍;SK 海力士预计跟进相近定价,美光在财报电话会亦称'明年 HBM 价格可能大幅上涨'——三大原厂定价策略高度一致,HBM 竞争焦点从'能否供货'转向'性能溢价'(三星 HBM4 稳定 11.7Gbps、峰值 13Gbps)。对照瑞银 8/7 预测 2027 HBM4 约 3.5 美元/Gb(+60%),实际报价隐含卖方预测仍有上修空间;'三星低价抢单'担忧暂未兑现,扩产竞争下行业定价纪律反而强化。
10/8 芯极速:AI 应用拉动下结构性缺货加剧,DDR5 RDIMM 现货逼近 4000 美元;国际现货 DDR5 16Gb(2Gx8)均价约 58.57 美元(+0.29%)。深圳华强北 10/7:内存条一年涨 300%+(DDR4 16G 条最低 100+→600+ 元,DDR5 16G 200+→1400+ 元);金百达 DDR5 京东价 5 月底 2399→3499 元(+46%)。股价三连阴的同时现货价格动能未减——本轮下跌非价格基本面驱动。
10/10 长鑫科技总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会公布 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合进展:自研 VSG(垂直环绕栅极)晶体管+晶圆级混合键合,在不依赖 EUV 的前提下(用 DUV 四重曝光跨越光刻限制)使单胞面积较主流 6F² 缩约 33%、晶圆位元密度提升 30-50%,年底推出融合新技术的新一代服务器 DDR5 RDIMM。海外巨头原计划 2027-2028 年推进至 10nm 以下/3D DRAM 时才导入该路线(三星目标 2028 年前后量产 4F²)。服务器内存验证周期 18-24 个月、短期不冲击 HBM 利润池(海外产能压在 HBM3e/HBM4),但证明'卡住光刻节点也能在有效位元密度上追平',动摇美韩存储长期技术代差溢价——10/12-13 三星/海力士因此大跌 8-11%。配套进展:9/20 G5 平台量产(半间距 11.95nm 接近一线)、9/28 拟以超募资金推 241 亿研发项目+108 亿后道测试二期;Q2 DRAM 份额 9.5%(TrendForce,去年同期 4.1%),长鑫科技 1H26 营业利润率 77.9%。
银河证券(9/29 现货价):DDR4 8Gb 46.32 美元、DDR4 16Gb(1Gx16)59.67 美元、DDR5 16Gb(2Gx8)57.83 美元;东海证券 10/14:9 月 DRAM/Flash 价格震荡后继续上行、存储晶圆厂仍供不应求,预计 10 月存储芯片价格维持上涨。10/15 零售端实测(什么值得买):三星/海力士股价暴跌的同时,内存零售价一分没动——本轮 -25% 周崩全程无价格基本面恶化迹象,10/15 大跌当日华强北报价依旧坚挺。
美光公布 FY2026 第四财季(截至 9/3)业绩:AI 基础设施需求扩张+HBM 需求强劲+DRAM/NAND 涨价共同推动营收、毛利率、净利润、自由现金流均创历史新高。管理层在电话会进一步强化供需判断:预计 FY2027 与 FY2028 存储需求仍将超过行业供给、且供需紧张程度将高于 FY2026;即使新增洁净室 2028 年开始贡献产能,目前仍看不到供需恢复平衡的明确时间点。HBM 出货增速将持续高于传统 DRAM。三大原厂之一对'短缺延续到 2028+'的最新背书,与海力士'2027 双紧'定调交叉验证。
TrendForce 10/15 将 Q4'26 常规 DRAM 合约价环比涨幅由 3-8% 上修至 10-15%,含 HBM 整体 DRAM 15-20%;NAND 由 0-5% 大幅上修至 15-20%,其中企业级 SSD +23-28% 居首、PC DRAM +13-18%;预计 2027 年 HBM 混合均价同比 +121%。现货端同步走强(DRAMeXchange 10/23):DDR5 16Gb $61.27(10 月 +5.8%)、DDR5 16Gb eTT +11.5%、DDR4 4Gb +9%。'股价跌、价格涨'的背离将在 Q4 合约价落地后进入验证期。
长鑫 Q3 预告:前三季营收 2650-2700 亿元(+726-742%)、Q3 净利 534-549 亿元——史上最好单季,但因环比放缓次日股价 -7%(与海力士/三星'40 年最好财报'后的定价逻辑同构);高盛 10/23 上调长鑫目标价 129→130 元。4F² 冲击的产业校准:三星内部评估 4F² 落地较慢、距 80%+ 良率的真正量产至少还需两年,'影响没有新闻报道那么大';美光 10/22 透露不计划研发 4F²;高盛 SEMICON West 走访:ASML 路线图确认 DRAM 由 6F² 走向 4F² 本就是行业演进方向,长鑫 DRAM 营收份额 2Q25 3.97%→4Q25 7.67%、两三年内 80%+ 市场仍属三巨头。
调研纪要(海力士/美光/长鑫/长存/闪迪):服务器 DRAM Q3 均价 2.5-2.6 美元/Gb、Q4 预计涨 15-20% 至 3 美元上方;手机 DRAM Q4 涨 10-20%;服务器 NAND Q4 将超 0.5 美元。三星/美光/海力士 2027 全年 DRAM+HBM 产能已全部分配完毕、NAND 基本预售一空;海力士 10 月产能全部锁定长协。HBM 盈利率自 26Q1 起被传统 DRAM 超越(与'DDR5 单片利润反超 HBM'互相印证),但 2027 年 HBM 定价预计暴涨;三星 HBM4/HBM4E 无重大质量问题、正在出货(中国区因禁令基本为零);Rubin 服务器 SOCAMM(LPDDR)占比已超 30%。
中金 10/20:HBM4 长协价逐步落地,2027 年 HBM4 价格预计较今年翻倍左右(三星/美光涨幅更高);HBM4E 定价比 HBM4 高近 30%、每 GB 5 美元出头。2027 年 DRAM 需求 +30% vs 供给 +25%,缺口继续扩大;NAND 存在 2027 年二季度末价格拐点风险。
黄仁勋 10/22 柏林 GTC 采访:2029 年前内存供应过剩的可能性不大——直接反驳韩媒《每日经济新闻》'2029 年供过于求、超级周期结束'论(该论是 10/22 全球存储股抛售的重要叙事源头);英伟达将大量使用 LPDDR/HBM、是首家把 LPDDR 引入数据中心的公司(能效翻倍);对与长鑫合作持开放态度。大甲方对短缺时长的最新定调,与美光'FY27-28 更紧'、KB'库存不足 10 天'交叉验证。
TrendForce 10/28:Q4 一般型 DRAM 合约价 +10-15%(计入 HBM 整体 +15-20%),对比 Q2 +80%、Q3 +40%,为本轮周期最低季度增速;原厂库存仅 2-4 周、消费级供给被系统性压缩——'涨价减速与缺货加速'并存。财报会口径:与 14 家核心客户签长约、数量超 2027+2028 总产能 50%,管理层称供不应求或持续至 2030;HBM4 2027 年定价已谈妥。中金 10/20:2027 DRAM 需求 +30% vs 供给 +25%、HBM 需求翻倍以上。
2025 营收 97.15 万亿韩元(约 4675 亿人民币),营业利润 47.21 万亿(+101%),净利润 42.95 万亿(+117%),利润率约 49%。DRAM 中 HBM 销售额翻倍,NAND 下半年创新高。宣布大规模股东回报:额外分红 + 提升末期股息 + 注销库存股。
营收 52.58 万亿韩元(环比 +60%、同比 +198%),营业利润 37.61 万亿(环比 +96%、同比 +405%),营业利润率 72%——超越英伟达 75% 毛利率的盈利能力。连续第四季度创历史新高。AI 从训练向推理/Agent 演进驱动高性能存储旺盛,供应紧张持续。
龙仁首座 31 万亿韩元(约 230 亿美元),2027/02 投产、每 6 个月投产一间(各 6 万片/月),2030H1 仅此一厂贡献 36 万片/月。清州 M15X 2026H2 投产(起步 4 万→2027 8 万片),P&T6 封测厂 2027Q1 启动 HBM4 封测。美国 748 亿美元投资。暂缓 NAND 大规模新建,产能全倾斜 HBM。
覆盖 Vera Rubin AI 超算、Vera CPU、RTX Spark、Jetson Thor 全线。Vera Rubin NVL72 配 20.7TB HBM4、聚合带宽 1.6PB/s(提升 2.7x)。引入 CUDA-X 加速半导体仿真与计算光刻,Omniverse 构建晶圆厂数字孪生——海力士正变成英伟达 AI 工具在制造领域的'样板间'。
HBM4 量产设备投资全面展开。TC 键合机是 HBM 堆叠精度与良率的核心设备,海力士拥有业内数量最多的 HBM 键合设备。披露 2030-2031 将 DRAM 晶圆产能从月 55 万片(含无锡 20 万)扩至 100 万片,高度集中于龙仁集群。
面向 AI 的下一代超高性能 DRAM,HBM4E 12 层样品已供客户验证。HBM4 占英伟达订单约 70% 份额。2024/04 与台积电签 MOU 共同开发 HBM4,2026 量产;英伟达 CEO 黄仁勋访韩确认三大厂均已通过 HBM4 质量测试。
HBM3E 单片利润已低于 DDR5 64GB RDIMM,海力士甚至放缓 HBM4 扩产去增产 DDR5。这给了卖方'不涨价就把晶圆切回 DDR5'的谈判底牌——HBM 涨价有供给侧底气。UBS 测算 HBM 占内存收入比重将从 2026 年 15% 跃升至 2030 年 58%,结构性跃迁非周期波动。
市场一致预期 Q2 营业利润约 64.3-64.4 万亿韩元(环比 Q1 的 37.6 万亿大幅增长)、营收约 83.4 万亿韩元。交银国际预测 Q2 毛利率/营业利润率 80.6%/74.9%;汇丰预期受 DRAM 与 NAND 涨价及 NAND 利润飙升推动表现强劲。若利润率再创新高将验证 LTA'收租金'逻辑。对照 Q1:营收 52.58 万亿(+198% YoY)、利润率 72%。
TrendForce 7/22 援引 KIS 预测 Q2 营业利润率升至 74.6%,BLOTER 更乐观预测约 77%,均高于 Q1 的 72% 将创历史新高;S&P Global 预期 Q2 营收同比增长 260% 至约 520 亿美元、营业利润同比 +556%。但 TrendForce 指出 HBM 占比提升反而拖累 ASP 增速(LTA 锁价),是 KIS 下修的逻辑根源。
7/29 公布 Q2:营收 79.32 万亿韩元(QoQ +51%、YoY +257%)、营业利润 60.54 万亿(QoQ +61%、YoY +557%)、营业利润率 76%(Chosun 细化 76.3%、连续五季创纪录、高于 Q1 的 72%)、净利润 93.92 万亿(含一次性收益、YoY +1242%)、净利率 118%、现金 88 万亿/净现金 69.4 万亿。DRAM ASP 环比 +约 30%、NAND ASP 环比 +约 50%、eSSD 出货翻倍、321 层 NAND 年底占国内产能约 50%、HBM4 Q2 量产出货/HBM4E 已送样、1c 工艺正式出货。capex 2026 约 310 亿美元(约 40 万亿韩元、纪录水平)。LTA 已与约 10 家关键客户签订(占总营收约一半)。低于共识约 64-65 万亿——海通国际点明 shortfall 主因高价值 DRAM 出货推迟至下半年、非需求恶化;TrendForce 指 HBM 占比偏高因 LTA 锁价致 ASP 涨幅低于同业,Q3 起 HBM4 放量后 ASP 增速将向市场靠拢。Q3 guidance:DRAM bit growth 约 10% QoQ。
SK 海力士美国印第安纳州西拉斐特先进封装厂 8/27 举行奠基仪式,投资 38.7 亿美元,2028 年下半年量产新一代 HBM。这是海力士在美首座生产设施,贴近美国 AI 客户、呼应芯片本土化趋势。
SK 海力士准备推出约 710 亿美元(约 100 万亿韩元)股东回报方案,大致相当于一年自由现金流总量,旨在抵消 ADR 增发稀释、绑定 AI 盈利周期与股东回报。分析师预计 2026 全年营业利润超 250 万亿韩元创历史最高、自由现金流达 100 万亿韩元中后段。公司预计 Q3 末前公布具体方案。
8/19 韩股收盘后公告:40.0043 万亿韩元回购并全部注销,按前日收盘 166.2 万韩元计约 2,407 万股、占总股本 3.3%,执行期 8/20-11/19 约三个月;同时将 2025-2027 股东回报承诺从'累计自由现金流的 50% 以内'上调至'50% 以上',年度固定股息由每股 1,200→1,500 韩元;公司表态'当前股价未能充分反映公司业务竞争力、现金创造能力及中长期增长潜力',更多细节将在 Q3 业绩时公布。8/14 口径'约 710 亿美元股东回报方案(约一年自由现金流)'第一阶段提前兑现。JPM:继 40 万亿回购后,到 2027 年或再向股东回报至少 1,300 亿美元。
SK 海力士考虑将部分 HBM 基础裸片(Base Die)交英特尔生产、从第七代 HBM4E 开始,目前仅评估阶段、未签最终协议。当前 HBM4 基础裸片全部由台积电 12nm 级工艺生产,其价格比海力士自产(10nm 级第五代工艺)核心芯片高 3-4 倍,HBM4E 过渡期成本负担还将加重;因 LTA 占比高、成本难转嫁,多供应商体系既降本又避险(HBM4 曾因交付延迟让三星抢份额)。对台积电的连锁风险:三星/美光或跟进评估、先进封装业务或流失。
市场一致预期海力士 Q3(10/27 发布)营收 101.76 万亿韩元(环比 +28.2%)、营业利润 79.16 万亿(环比 +30.7%)、利润率约 78%——对照 Q2 实际(79.32 万亿/60.54 万亿/76%),若兑现连续第六季创纪录。同期三星 Q3 预期营收 206.64 万亿、营业利润 116.38 万亿。韩国半导体产业协会:'即使计划中的新工厂投产,也只能缓解短缺而无法彻底消除'。
SK 海力士被曝加大光州(西南地区)生产基地投资,探讨龙仁集群与光州并行:或将原计划投入龙仁的部分设备分配给光州、或额外订购新设备;光州军用机场用地预计 2027 年起整备并启动基础施工、目标 2029 年第一座晶圆厂竣工(龙仁一期洁净室 2027/2 启用、二期 2027/8)。市场对 capex 负担与 2028 后供给过剩的担忧再起,9/3 SKHY ADR 盘前跌 3%——'短缺到 2030 底'定调与激进扩产并行,供给纪律是否自洽是周期叙事的关键考验。
现有晶圆厂接近满负荷,洁净室空间有限、大规模新增有效晶圆产能难度大,公司重心转向技术迭代迁移:M15X 仅有的新增有效产能主要供给 HBM;龙仁工厂重申 2027/02 投产,但产品出货大概率延迟至 2027 底;NAND 调配 M17 晶圆厂产能并复用 Solidigm 厂房剩余空间。国内 DRAM 产线从 1a nm 向 1c nm 节点迁移;国内大量 176L NAND 产能转产 321L,预计年底比特产能交叉。汇率:收入近 100% 美元计价、营业费用外币占比不足 50%,短期盈利受汇率波动扰动。
FnGuide 口径(韩媒 10/9 引):Q3 共识营收 94.9883 万亿韩元、营业利润 74.3433 万亿,较 8 月口径(101.76/79.16 万亿)各下修约 6%——三个月内分析师累计下修海力士营收/利润预期 5.3%/5%(智通 10/7;同期三星 -2.6%/-4.4%)。下修主因:①汇率假设从 1430 降至 1370 韩元/美元(Q3 韩元兑美元累计升值约 14%,公司收入近 100% 美元计价);②产品转换(HBM4 放量)带来的营收确认时点差异;③Q2 未计提的部分绩效奖金在 Q3 反映。对照:三星 10/8 公示 Q3 初值营业利润 107.4 万亿(史上首破百万亿、同比 +782%),仍低于 8 月共识峰值约 114 万亿,当日尾盘跳水——'创纪录也不够'成为本财报季定价模式。海力士 10/27 正式财报与股东回报方案同日公布,若兑现 74 万亿+为连续第六季创纪录。
社长兼开发负责人安炫 10/14 在首尔 COEX 半导体大展 SEDEX 2026 发表题为'AI 时代,追问内存创新方向'的主旨演讲:AI 需求才刚开始、普及周期快速缩短,预测 AI 基础设施市场到 2030 年增长约 20 倍(2026-2030 CAGR 109%),存储开发、标准化与产能扩充必须在 AI 需求形成之前提前准备。下一代技术路线:①3D Stack DRAM——经硅通孔(TSV)把 DRAM 直接堆叠在 GPU 等处理器上(传统 HBM 是堆叠后布置在 GPU 周围),缩短数据搬运距离、带宽较现有方式提升数十倍并降低功耗,在 GPU 缓存 S-RAM 与 HBM 之间构建新存储层级,散热管理与先进封装成为关键课题;②定制化 HBM 占比将逐步扩大(基础晶片反映客户需求,公司已通过客户沟通备好核心技术,定制与标准并行);③HBF(高带宽闪存)主打 AI 推理大容量反复读取场景。同场三星展示 zHBM(内存与 GPU 垂直集成)与 zNAND-O——3D 化竞速正面开启,呼应 8 月公布的两大框架。
财报日期更正:Q3 业绩 10 月 28 日(周三)披露、同日公布追加股东回报方案——此前页面记 10/27 有误。FnGuide 一致预期 Q3 营业利润 76.964 万亿韩元(单季历史新高,较 10/9 汇率下修后的 74.34 万亿回升);花旗 10/21 预测 81.3 万亿(环比 +34%/同比 +614%)、销售额 101.2 万亿(环比 +28%),高出市场预期 8%,维持买入、目标价 300 万韩元,'供应紧张持续至 2028 年'。Q2 基数:营收 79.3 万亿、营业利润 60.5 万亿(OPM 76%)——Q3 共识隐含营业利润环比 +27%。韩国财长 10/19 表态半导体景气至少持续到 2027 年;海力士 CEO 郭鲁正 8 月称短缺'持续到 2030 年底'。
Q3 营收 104.62 万亿韩元(+327.9% YoY、+31.9% QoQ,首破百万亿),营业利润 83.33 万亿(+632% YoY、+37.6% QoQ,超 FnGuide 共识 77.5 万亿约 8%),OPM 80%(上季 76%);净利润 39.8 万亿(+215.7% YoY、-57.7% QoQ,QoQ 降主因外汇损失 11.6 万亿+投资资产估值损失 22.9 万亿,合计非经营损失 32.6 万亿,另上季有一次性收益高基数)。前三季营收 236.5 万亿。期末现金 114.5 万亿(+26.5 万亿)、净现金 98.7 万亿。同步撤回美国子公司 Solidigm 百亿美元上市计划。
上市价约 7.8 港元,初始 AUM 仅 0.24 亿港元。合成模拟策略(掉期),提供海力士每日 2x 正向回报。全球唯一跟踪 SK 海力士的单股杠杆 ETF。
截至 5/7 收市 AUM 421.23 亿港元,超越 Direxion Daily TSLA Bull 2X(414 亿)。半年规模增长 1754 倍。年内海力士涨 159%,ETF 收盘 78.48 港元(上市以来约 9 倍)。
花旗、摩根大通、高盛等将韩国芯片股互换融资利率从年初 SOFR+200bp 骤升至接近 15%,摩根士丹利直接关闭新增订单渠道。背景:海力士年内 3 倍涨幅、三星 +175% 积聚回调风险 + SpaceX 750 亿 IPO 抢占资产负债表。
6/17 首破千亿,6/22 破 1300 亿(年内涨幅 1061.92%,成'10 倍基'),超越盈富基金(1274.75 亿)。但 6/23 单日暴跌 23%,KOSPI 跌 9.99% 触发熔断——杠杆 ETF 机械性调仓引发连锁抛售。
CSOP 列 20+ 交易对手(高盛、摩根士丹利等)提供互换。海力士占 KOSPI 权重 28%,市场每波动 1% 引发 90 亿美元调仓。对冲 cliquet 年化成本从 3 月 3% 飙至 10%+。ETF 今年回报 718% vs 理论 921%,缺口反映对冲成本。CSOP 警告交易对手达极限可能暂停创设。
股票代码 SKHY,7/10 启动发行。原计划约 44 万亿韩元(290 亿美元),超越阿里 2014 年 218 亿美元,史上最大外企 ADR。承销团:美银证券、花旗、高盛、摩根大通。核心动因为 HBM 扩产筹资;纳入纳斯达克 100 资格带来被动资金流入,从'亚洲股票'转'美国股票'打开估值修复空间。【7/11 更新:实际 7/9 定价 149 美元/ADR、募资 265 亿美元(因定价略低于区间上沿 + 股价回落),7/10 以 SKHYV 预发行挂牌、盘中涨逾 18%,7/13 转常规交易 SKHY,见下条。】
全球韩股杠杆 ETF 从 6/22 高点 534 亿美元降至 7/6 的 370 亿美元(占自由流通市值比例 1.7%→1.3%);两倍做多三星+海力士 ETF 从 6/25 高点 48.8 万亿韩元降至 7/7 的 30.7 万亿。但韩国本土杠杆 ETF 份额在下跌中不降反增、散户仍为主买盘,外资与本土险资/养老金继续卖出。07709.HK AUM 从 6/22 高点 1300 亿港元回落至约 980 亿。韩国金融监督院院长公开表示'后悔当初没阻止个股杠杆 ETF 推出'。市场讨论 ADR 上市后 07709.HK 可能因美股 3x 杠杆产品与 ADR 期权而'褪色'——流动性正从韩股向美股迁移。
7/8 簿记截止获超 7 倍超额认购(全球长仓/科技/主权基金),7/9 最终发行价 149 美元/ADR(较 7/8 韩股收盘折合约 144.5 美元/ADR 溢价 3.1%),发行 1.779 亿份 ADR(对应 1779 万股新股、占已发行股本约 2.5%),募资 265 亿美元。7/10 以 SKHYV 代码预发行交易、盘中涨逾 18% 至约 176 美元,7/13 转常规交易代码 SKHY。募资全部用于龙仁 Fab1、清州 P&T7、EUV 光刻机、美国印第安纳州 AI 内存封装厂。汇丰预测 ADR 较韩股 20% 溢价;瑞银测算短期纳入 SMH 约 35 亿美元、长期纳入纳指 100 约 150 亿美元被动流入;台积电 ADR 对台股平均溢价 16% 可作参照。
6/23 KOSPI -9.99% 预演的机械性踩踏本周兑现:韩股 7/13 暴跌 16.15%(单日最大跌幅)、7/16 再跌 11.5% 至 184.2 万韩元,较高点 298.7 万回撤约 38%;KOSPI 进技术性熊市(较高点 -25%、YTD +235%)。南方东英 2x 海力士 ETF(07709.HK)从 6/25 高点 193.65 港元跌至 7/14 的 65.2,12 个交易日暴跌 66%;两倍做多三星 ETF(07747)较高点跌超 60%。韩国 5/27 批准的 16 只跟风杠杆 ETF 把 7/13 海力士相关跌幅放大至 31-33%。讽刺的是韩国散户逆势加仓(7/13 买入约 3 万亿韩元、ADR 首日买入 4000 亿韩元)反而加深踩踏。
国金证券 7/15 公司深度:预测 2026E 营收 2454 亿美元(同比 +265%)、2027E 3922 亿、2028E 4832 亿;归母净利润 2026E 2495 亿美元、PE 5.54x(2025A 9.30x)、2027E 4.49x。核心逻辑:HBM+LTA 把周期生意锁成收租金,海力士是 AI 存储核心受益标的。劳资协议(26 年 3 月达成,按 K-IFRS 10% 营业利润作员工奖金)避免罢工。提示风险:高杠杆产品放大短期波动。
7/14 韩国金融委员会与主要券商/资管闭门会讨论单一股票杠杆 ETF 监管;7/16 财政经济部、金融委员会、韩国银行、金融监督院四大部门会议,下午 4 点发布杠杆 ETF 声明。潜在措施:提高最低存款要求、加强投资前教育、收紧信贷和保证金管控,更严格选项包括下调杠杆倍数(从 2x 降)、限制日内价格波动幅度和换手率。监管'事后后悔'(5 月批准 16 只跟风产品的反噬)。短期利空拥挤交易、中长期有助降低市场脆弱性,但去杠杆过程本身加剧波动。
韩国金融委员会 7/16 正式宣布单一股票杠杆 ETF 管控三措施:(1)最低现金保证金从 1000 万韩元上调至 3000 万韩元(约 2 万美元)且仅限现金,股票/ETF 等替代担保不再认可;(2)市场稳定前暂停新产品上市申请、禁止广告宣传;(3)最小交易单位从 1 股临时提高至 20 股抑制短线。即刻生效。总统李在明下令'迅速采取措施',金融监督院院长李灿镇公开表示后悔批准这些产品。国金测算 7/13 单股杠杆/反向 ETF 日成交 13.11 万亿韩元占 ETF 总成交 36.48 万亿的 1/3,16 只单股杠杆 ETF 当日下跌 12%-13% 多数跌破发行价。三星证券测算单股杠杆 ETF 推出后海力士收盘阶段日均成交量从约 39 万股升至 65 万股(+65%,负 gamma 效应)。
韩国证券存管院 7/16 宣布 SK 海力士可转换为 ADR 的普通股配额仅 2.5%——已被 265 亿美元 ADR 发行完全用尽,新增套利转换被冻结;反向(ADR 转韩股)无上限,但双向转换要到 7/29(Q2 财报日)韩国本土新增普通股上市后才完全开放。7/13-7/15 ADR 溢价曾飙至 51%,7/16 后维持 35-50% 高位;7/24 SKHY 收 175.87 美元,较韩股折算公允价值约 130 美元仍有约 35% 溢价。Morningstar/MarketWatch 认为 2.5% 配额限制使短期溢价难快速抹平,7/29 开放后溢价或收窄、套利盘释放或对 SKHY 构成抛压。
南方东英 2x 海力士 ETF(07709.HK)7/24 收 52.74 港元(前收 60.50、日内 50.64-57.20),较 6/25 高点 193.65 累计回撤约 73%;52 周波幅 8.42-193.65。AUM 从 6/30 峰值约 130 亿美元(约 1300 亿港元)降至约 350-470 亿港元(份额口径有分歧:按峰值份额 7.4 亿粗估约 350 亿、etnet 8.875 亿股口径约 468 亿,取保守值)。国金 7/16 引用 7/13 约 460 亿港元,显示 7/13 后 AUM 趋于稳定而非继续崩塌。Tradr ETFs 7/22 另推海力士 2x 多空 ETF(美国),杠杆产品竞争加剧。
SK 海力士 7/29 Q2 财报同日,新增普通股(对应 ADR)在 KOSPI 上市,ADR 双向转换正式开放——此前 2.5% 配额已被 265 亿 ADR 发行用尽、新增套利转换被冻结的状态解除。但转换上限仍受 2.5% 配额约束:仅当有人将 ADR 转回普通股腾出空间才能新增 ADR,意味溢价仍将维持但逐步收窄。7/15 ADR 溢价约 35%,7/31 韩股收 171.8 万韩元(10 ADR=1 普通股,每股 ADR 对应约 17.18 万韩元/约 126 美元)、SKHY 7/31 盘中约 146-149 美元,溢价收窄至约 16-18%——与双向转换开放直接相关。
南方东英 7/31 收盘后公布 8/3 目标杠杆因子,正式采用灵活杠杆框架——杠杆因子可每日变动(最高 2x、极端市场可降至 1.1x),是对韩国监管压力与极端波动的主动响应(Reuters 7/28 报道 CSOP 对 12 只韩股 ETF 含三星/海力士采用灵活杠杆)。去杠杆的'被迫卖出'压力在 7/30-7/31 被前置消化。07709.HK ETF 7/31 收 42.52 港元(+67.67%,2x 海力士 7/31 +30% 反弹的杠杆放大),AUM 粗估约 320 亿港元(峰值份额 7.4 亿×42.52≈315 亿,口径分歧)。韩股 7/31 +30% 收 171.8 万韩元、KOSPI 单日暴涨 18% 创纪录;但 SKHY ADR 7/31 仅涨约 13%(盘中约 146 美元),未复制韩股爆发力。反弹驱动:杠杆 ETF 反向再平衡买入+崔泰源低位增持+ADR 双向转换套利再配置共振。
8/3 CSOP 灵活杠杆框架正式生效后,07709.HK ETF AUM 粗估约 220 亿港元(7/31 锚点 320 亿×价格比 0.72 再打赎回折扣,峰值 1300 亿、较高点 -83%),NAV 约 4.06、价格在 29-32 港元区间。韩国 16 只单股 2x 杠杆 ETF 成交量降至月均约 50%,两只主要杠杆 ETF(三星/海力士)资产规模分别较高点减少约 83% 和 70%。韩国散户融资余额降至 57.97 万亿韩元(较高点 -10.8%)。8/3 韩股暴跌超 8%、KOSPI 跌超 5%(年内第 9 次熔断,超此前 25 年总和 6 次)。
SKHY ADR 8/6 收 151.03 美元(+2.17%),盘中区间 149.84-155.95,52 周高点 194.80、低点 124.80。8/7 韩股 142.2 万韩元(10 ADR=1 普通股,每股 ADR 对应约 14.22 万韩元/约 105 美元),ADR 溢价仍维持约 40%+。双向转换开放后溢价收窄慢于预期。
天风证券 8/6:韩国卖空数据显示 6/26 SK 海力士卖空成交额达 139 万亿韩元(占比 5.05%)为调整初期峰值,7 月下旬后卖空成交额多数低于前期高点,但 7/23 仍有阶段性回升(占比 4.71%)。卖空压力较调整初期有所缓和但未完全消除。
摩根士丹利 8/7 将韩股上调至'增持',KOSPI 目标位 9000 点(43% 上行空间),判断去杠杆进程已过半。KOSPI 年内第 9 次熔断(超此前 25 年总和 6 次),超 35 万散户账户本金清零。MS 判断为底部区域的资金面信号。
淡马锡 8/12 拟通过内部团队直接投资三星电子和 SK 海力士,认为 AI 供应链中存储芯片仍被低估。消息刺激 SK 海力士 ADR 8/12 收涨 9.01% 至 154.41 美元——主权基金背书'存储被低估'叙事,是本周反弹最直接的外部催化。
南方东英 2x 海力士 ETF(07709.HK)价格从 8/10 的 28.70 港元反弹至 8/13 的 36.94 港元(+28.7%),总市值约 329 亿港元,较上周约 220 亿港元低点回升约 50%。AUM 触底回升标志去杠杆最恐慌阶段可能已过,杠杆 ETF 再平衡反身性从下跌放大卖出转向反弹放大买入;但灵活杠杆(因子可降至 1.1x)下反弹买入放大效应亦被削弱。
上半年外资净卖出约 996 亿美元(6 月单月 -300 亿)、7 月收敛至 -62 亿、8/1-9 仅 -43 亿;8/11-13 连续三日净买入合计超 5 万亿韩元(8/12、8/13 各超 2 万亿),7/31-8/12 外资净买入 KOSPI 成分股 2.74 万亿韩元;本土融资余额 8/16 回升至 30.93 万亿韩元(较 8/3 +3.4 万亿)。去杠杆尾声+外资回流,是 8 月 V 型反转的资金面基础。
8/18 美股时段美债 30Y 冲 5.33%(2007 年来最高)、费半 -4.98%,8/19 ETF 盘中最低 29.66 港元(-19.6%),海力士盘后回购公告点燃反转、当日收 36.46;8/20 +3.2%、8/21 +5.3% 收 39.64 港元,较 8/11 收盘低点 28.10 反弹 +41%,8/19 单日成交 95 亿港元。AUM:上证报 8/17 报道截至 8/13 为 48.64 亿美元(约 379 亿港元)、较 6 月底 130.7 亿美元缩水 63%(去杠杆主因);8/21 粗估约 445 亿港元(按份额不变粗估)。韩国本土挂钩三星/海力士的杠杆基金净申购自 6/22 以来累计下降 11.93%,散户杠杆资金趋弱。
9/7 韩股全市场大涨:KOSPI +4.61% 收 6995.4 点(收复 7/13 崩盘失地、逼近 7000),三星 +5.68%、海力士 +8.26% 收 178.3 万韩元——自 7/30 低点 132.2 万反弹 +34.9%、较 6/22 高点 298.7 万仍回撤 40%。驱动共振:8 月半导体出口 +209% 创纪录、三星/海力士 Q3 创纪录盈利预期(116.38/79.16 万亿)、英伟达'供给为核心瓶颈'定调。筹码结构隐患:年内外资累计净卖海力士 69.8 万亿韩元(三星 79.1 万亿)全部由散户承接,约 110 万亿韩元散户浮盈筹码堆在 7000 点附近——KOSPI 站上 7000 后的潜在波动放大器。
本周 V 型:9/14-9/15'AI 降速'叙事+获利回吐两日 -8.5% 至 169 万(费半 9/11 -4.6% 传导),9/16 起三日反弹;9/18 KOSPI +2.66% 收 6894 逼近 6900、海力士 +6.42% 收 185.7 万创收盘新高(超越 9/9 的 185.6 万),半导体设备供应紧张+Intel 谈判消息为催化,铠侠 +9%、三星 +3.37%。南方东英 2x ETF(07709.HK)AUM 粗估回升至约 498 亿港元(9/7 锚点 460 亿×1.083)。
9/23 美股三大指数收涨但存储概念逆市大跌:SK 海力士 ADR 跌超 9%,美光/闪迪/西部数据跌超 8%——高位高拥挤板块的获利了结。韩股 9/24-25 秋夕休市躲过当日情绪传导,9/23 收 186.2 万(本周三个交易日累计 +0.3%)。10 月恢复交易后需先消化美股回调情绪。
9/28 秋夕复市首日补跌 -5.48% 至 176.1 万(消化 9/23 美股存储大跌),随后四日回升:10/2 收 184.2 万(周 -1.1%),同期韩国出口数据创历史纪录、海外存储龙头(美光)财报超预期形成托底。南方东英 2x ETF(07709.HK)10/2 收 42.2 港元(+5.24%,南方两倍三星 +4.17%、韩股 ETF 逆势上扬),AUM 粗估约 467 亿港元(按 9/18 锚点 498 亿×价格比 42.2/45 粗估;灵活杠杆因子与份额变动致实际区间约 450-480 亿)。
本周 KRX 仅三个交易日(10/5 开天节+10/9 韩文节休市):10/6 -3.10% 收 178.4 万、10/7 -3.27% 收 171.5 万、10/8 -2.15% 收 168.6 万(含 NXT 口径),周 -8.5% 三连阴;KOSPI 10/7 -2.0% 收 6803.9、10/8 -2.62% 收 6625.93,SK Square 10/8 -7.27%、三星 -2.05%,半导体板块普跌。资金面三重压力:①外资 naver 口径连续净卖出(10/6 -78.5 万股/10/7 -78.8 万股/10/8 -51.3 万股),持股率降至 49.59%(9 月初 50.67%,连续近一个月流出);上证报 10/8:9/1-10/2 外资净卖海力士 12.01 万亿韩元、主板累计 20.31 万亿(22 个交易日仅 7 日净买入),IIF 9 月新兴市场股票净流出 192 亿美元、抛售韩国是核心,背景为美联储鹰派+美债收益率高企;②三星+海力士合计约 55 万亿韩元回购窗口临近收尾(海力士 40 万亿执行期原至 11/19),'唯一的买家'退场,10/7 唯一净买家为韩国散户(净买 19 亿美元,含海力士 6.3 亿);③韩元升值下修 Q3 共识(见基本面块)。07709.HK:10/6 -6.99% 收 39.94、10/7 -6.71% 收 37.26(沽空比率一度 62.85%)、10/8 收 35.28、10/9 收 35.40(+0.34%,韩股休市日企稳),全周较 10/2 的 42.2 约 -16%,AUM 粗估约 392 亿港元。10/8 美股 OpenAI 营收传闻(费半 -3%、英伟达 -3%、美光 -4%+)因 10/9 韩股休市未传导,10/13 复市需消化。
本周年内最惨烈一周:10/12 -4.5% 收 160.5 万(长鑫 4F² 披露后首个反应日,三星 -4.4%)→10/13 -9.3% 收 145.6 万(KOSPI -5.46% 收 6035.35,盘中暂停程序化卖盘;三星 -8%)→10/14 -2.1% 收 142.5 万→10/15 -13.1% 收 123.8 万创半年新低(KOSPI -7.57% 收 5554.22,盘中熔断暂停 20 分钟、为年内第 10 次、7/29 以来首次;导火索为美国 9 月 CPI 超预期压制降息预期+AI 融资可持续性疑虑(博通/英特尔 CEO 均提'资金筹措'约束)+日经 -5%、铠侠大跌;三星当日约 -10%)→10/16 +2.2% 收 126.5 万(韩国财政部声明'密切监测股市波动'、金融监管机构召开会议,官方密集发声救市,KOSPI +4% 报 5778)。周 -24.9%,较 6/22 高点 298.7 万累计 -57.6%;KB 证券 10/16:10 月以来三星 -21.8%、海力士 -28.9%(对照台积电 ADR -1.6%)。'买盘真空'量化注脚(韩民族 10/14):①外资年内累计净卖出 203 万亿韩元(三星 87/海力士 89 万亿),至 10/15 早盘连续 8 个交易日净卖 15.7 万亿;②散户'弹药'(投资者存款)从 6 月中 130 万亿降至 100 万亿,日成交额从 80 万亿峰值降至 30 万亿以下;③三星回购已收尾、海力士 40 万亿回购本周内结束(早于 11/19 名义期限)——市场对抛售的价格抵抗力几近归零。大摩 10/12 同期报告:两巨头合计 55 万亿回购接近完成、散户融资余额 38.6→约 33 万亿、待投资金从近 140 万亿降至约 100 万亿。
南方东英 2x 海力士 ETF(07709.HK):10/13 -17.98% 收 26.10 港元(ETF 日报);10/15 大幅低开 -14.99% 报 20.98(智通),收 18.68;10/16 +2.73% 收 19.19(成交 1.88 亿股/37.17 亿港元、换手率 18.44%),单周较 10/9 收盘 35.40 下跌约 46%。市值/AUM 约 170.7 亿港元(富途 10/16 口径),较 6/22 峰值约 1300 亿缩水约 87%——杠杆 ETF 的反身性在下跌中再度放大(灵活杠杆因子下 ETF 跌幅约为海力士 -25% 的 1.8 倍)。同期南方两倍三星(07747)同步暴跌;10/15 韩股 ETF 亦遭港股资金抛售,反映内地资金对韩股敞口的快速收缩。10/16 随官方救市表态与韩股反弹企稳。
海力士 40.0434 万亿韩元回购 2407 万股(占已发行 3.3%)全部注销、10/21 完成,较原计划(8/20-11/19)提前约一个月,创韩国上市公司回购注销纪录;三星约 15 万亿回购亦已于 10/6 完成。回购周期(8/20-10/21)内机构净卖 2.68 万亿、外资净卖 25.66 万亿韩元——'公司不再承接抛压,缓冲垫变薄'(NH)。高盛资金面日报:10/20 外资净卖海力士 2.96 亿美元、当日唯一买盘来自公司回购资金;10/21 外资终结对海力士连续 18 个交易日净卖出、转净买 1.51 亿美元(散户当日净卖 5.64 亿美元兑现);10/22 境内机构再净卖 2 亿美元、散户逢低净买 1.58 亿。JPM 估算两巨头回购贡献上月韩国股市约 230 亿美元买盘的大部分——回购终止是本轮'买盘真空'的直接机制。
海力士 10/23 开盘前公告:暂停 Solidigm 上市前融资及 IPO 评估——10/8 刚选定高盛+大摩牵头,拟募约 100-150 亿美元、估值传闻最高 1500 亿美元。背景:韩国金委会主席 10/22 表态将适用'重复上市'监管规则(母子公司同时挂牌稀释母公司股东权益),叠加股东对'双重上市折价'的强烈反对与近期股价重挫。市场解读为'股东价值优先于扩张':当日股价盘中低见 117.1 万后收 127.7 万(KRX 口径 +4.42%;NXT 口径收 126.3 万)。美林:终止上市=提升股东价值优先级高于扩张路线,期待 10/28 电话会拿出更具体回报方案。
10/23 KOSPI 盘中 -4.1% 后收 +0.30%,海力士盘中 117.1 万新低后 V 型逆转收涨;美股盘前 SKHY ADR +6%+、美光 +2.9%,伯恩斯坦称'回调已过度计入涨幅放缓担忧'。驱动并非新消息:KOSPI 12 个月前瞻 P/E 低至 4.2 倍+10 年期美债收益率跌破 5%+美联储加息预期降温(FOMC 10/27-28,概率降至 15% 以下)。背景:彭博口径外资今年累计撤出韩国 1310 亿美元、亚洲居首;融资余额 38.6→约 33 万亿韩元、券商账户现金 140→约 100 万亿,NH 统计截至 10/19 有 74.18% 的海力士持有者亏损——散户去杠杆未完,反弹持续性取决于 10/28 财报能否引回趋势资金。
10/28 财报点燃 AI 交易:KOSPI 单日 +5.96%、KOSPI200 +6.73%,海力士 +10.89%、三星 +9%,韩交所盘中启动 SIDECAR 暂停程序化买盘;10/29 海力士续 +2.62%、10/30 获利回吐 -7.08%(同期美光/WDC 等因 Q4 涨价减速信号同步回调)。南方东英 2x ETF(07709.HK)按 2x 反推本周约 +22%,AUM 估算从 10/16 低点约 170.7 亿回升至约 202 亿港元(8.9 亿份×约 22.8 港元,粗估),较 6/22 峰值 1300 亿仍缩水约 84%——杠杆资金回流但远未收复,外资 18 连卖后的承接方仍是散户与杠杆盘。
BNK 投资证券 7/29 Q2 财报后大幅下调目标价至 148 万韩元(接近当前价、实质卖出信号),是卖方中最悲观声音。与 Mirae 420 万、大和 300 万、摩根大通 275 万形成极大分歧,反映 LTA 双刃剑与去杠杆下卖方定价分化。
大和证券近期重申买入,目标价从 360 万下调至 300 万韩元,认为市场短期调整过度、基本面超级周期未变。
RBC 8/4 首予跑赢大盘评级,SKHY ADR 目标价 200 美元(较 8/6 收盘 151 美元隐含约 32% 上行)。新增覆盖看多 HBM 产能售罄与 LTA 锁价逻辑。
ADR上市后首批券商覆盖之一，$320为当时最高目标价。按1 ADR=1/10股折算约₩320万/股，较当前₩166万有~92%上行空间。
SKHY ADR 纳斯达克上市后,至少 6 家华尔街券商以买入/增持启动覆盖:美银(首覆看多、存储超级周期)、瑞银 7/30 买入目标价 204 美元(判断供给紧缺延续至 2028)、罗森布拉特给出最高 320 美元(较当时 142.72 美元有 124% 空间)。ADR 溢价 31-37% 持续存在。
摩根大通 8/10-11 维持超配(目标价 275 万韩元),上调全球存储市场预测 48%。认为市场对 HBM 定价、54 万亿扩产、股东回报三大担忧过度。预计 HBM 混合 ASP 2027 +42% 至 2.8 美元/Gb、2028 +22% 至 3.4 美元/Gb。三大催化剂将至:Q3 末股东回报方案/HBM4 下半年放量/DRAM 涨价延续。
8/17-18 报道:未来资产 420→280 万(7/29 下调)、信韩投资 420→270 万、NH 投资 410→340 万、大信 390→320 万、三星证券 350→300 万;韩国投资证券逆势 380→470 万。韩资区间 270-470 万分歧达 200 万韩元,与华尔街 ADR 首批覆盖(瑞银 204 美元、罗森布拉特 320 美元)的多空分歧并存;共识约 317-320 万隐含现价仍有约 80% 上行。
中金海外存储 8/25 报告定调:存储龙头长协(LTA)占比提升,价格波动率下降、盈利质量抬升,行业步入高自由现金流资本回报新阶段——与海力士 40 万亿回购+股息上调、三星拟 100 万亿回报计划互相印证,'回报军备竞赛'成为板块重估主线。
LS 证券 8/31 维持买入但将目标价下调 27.3% 至 240 万韩元——核心分歧:2027 年 HBM 营业利润率约 60% 而非市场此前预期的 80%,三星切入 HBM4 后'供给集中'带来的溢价部分消退;同日上调三星目标价 12.5% 至 45 万韩元(三星 HBM4 出货占比 Q1 约 5%→Q2 约 35%、良率 +5ppt)。'卖海力士买三星'的相对交易声音出现,与 BNK 148 万同列卖方悲观端;对照韩资区间 270-470 万,卖方分歧进一步拉大。
首次覆盖 SK 海力士 ADR 给超配、目标价 245 美元(较现价约 +32%)。核心判断:①AI 存储上行周期'higher-for-longer',DRAM ASP 上行自 2024Q1 启动、预计延续至 2028Q4 以后(20+ 个季度,历史典型仅 7-8 个);②ADR 远期 PE 5.8x vs 美光 6.5x、折价约 11%,但 DRAM 利润率/规模/HBM 执行力均相当或更优,折价将随纳斯达克上市收窄;③LTA 锁定超 50% 产能、预付款 20-25%,覆盖 CSP/AI 需求占位需求 70%+/收入 85%+;④FY26-28 EPS CAGR 34%(FY26 +510%);⑤全球存储市场规模 2025 年 2140 亿→2026 年 9710 亿→2027 年 1.44 万亿美元;⑥2026-28 累计 TSR 收益率约 42%。预警:预计海力士 HBM 份额自 2026 年起从 60% 回落至 40-46%(三星执行力改善),但仍保持领导地位;10 月底 Q3 业绩会将更新股东回报计划,是正面催化。
高盛在'AI 降速'冲击半导体之际投来看涨报告:重申三星电子与 SK 海力士'买入'(三星继续位列确信买入名单),三星普通股目标价 49 万韩元、优先股 36 万,SK 海力士目标价 350 万韩元——以 9/11 收盘价计潜在涨幅近 90%。逻辑:存储短缺延续、股东回报、海力士在 HBM 保持对三星/美光的领先份额并握英伟达最庞大 HBM 订单。
瑞银 9/22:ADR 目标价 $217→$220(韩股 TP 300 万韩元,基于 4.25x NTM P/BV、长期 ROE 50%/CoE 11.8%)。2027 年 DRAM bit 终端需求 +40%(2026 +21%)、NAND +24%;DRAM 几乎所有新增晶圆产能均转向 HBM、中国以外无新增 NAND 产能,供不应求延续至 2028。HBM 专用产能 2026 底 23 万片/月、2027 底 27 万;海力士 2026 出货份额 48% 居第一,但 2027 降至 37%、被三星(41%)反超(美光 22%)。FCF 2026-28 预测 186/315/363 万亿韩元;40 万亿回购 2026 年 11 月前完成,政策期内返还至少 50% 累计 FCF。当前 2.65x NTM P/BV 隐含长期 ROE 仅 31.2%,远低于其 50% 预测——当前股价存在显著上行空间。
10/15 熔断后卖方观点两极:高盛分析师认为本轮抛售根源在'买盘的结构性缺位'而非基本面需求崩塌,估值已跌至历史极低分位、盈利周期尚未结束,韩股砸出'黄金坑'、坚守 KOSPI(此前 Timothy Moe 仍看 KOSPI 有大幅上行空间);小摩则警告本轮暴跌与 7 月不同——7 月有散户逼空弹药,这次融资余额(38.6→33 万亿韩元)与待投资金(140→100 万亿)均已枯竭,反弹缺乏承接;大摩 10/12 报告《存储芯片利润狂飙,韩国股市为何先踩刹车》归因两巨头 55 万亿回购接近完成+机构与散户买盘共同收缩;KB 证券 10/16 以'10 月三星 -21.8%/海力士 -28.9% vs 台积电 -1.6%'强调跌势与基本面脱钩。共同点:无一方认为 DRAM/HBM 价格周期见顶——分歧全部集中在资金面与筹码结构。
花旗 10/21 维持买入、目标价 300 万韩元:预测 Q3 营业利润 81.3 万亿(环比 +34%/同比 +614%)、销售额 101.2 万亿,高出市场预期 8%;供应紧张持续至 2028 年;12 个月前瞻 P/E 2.7 倍、P/B 1.4 倍。注意:300 万低于 FnGuide 一致目标价 325.8 万,外资对弹性的定价仍保守。
Naver 证券页援引 FnGuide(2026.10.22 基准):近 3 个月券商预测均值目标价 3,257,727 韩元,较 10/23 NXT 收盘 126.3 万隐含约 158% 空间;共识推荐评级'买入'(4.00/5.00)。卖方向上分歧极大(270-470 万),一致预期高位本身反映盈利上修周期未结束。
美林 10/23(新浪引):按 10/22 收盘价,海力士明年预期 P/B 仅 1.10 倍、处历史低位;更强股东回报可凸显估值洼地。点评放弃 Solidigm 上市='提升股东价值优先级高于此前规划的扩张路线',期待 10/28 电话会拿出更具体的回报方案。未给出新目标价数字。
| 2023 | 2024 | 2025 | 2026E | 2027E | 2028E | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 营收 (万亿韩元) | 32.8 | 66.2 | 97.1 | — | — | — |
| 营业利润 (万亿韩元) | 7.7 | 23.5 | 47.2 | 271* | 401* | 454* |
| 营业利润率 | 23% | 36% | 49% | ~72%(1Q) | — | — |
| HBM 收入 (亿美元) | — | — | — | 250* | 470* | — |
| DRAM 合约价同比 | — | — | — | +316%* | +27%* | — |
HBM3E 单片利润已低于 DDR5 64GB RDIMM,海力士放缓 HBM4 扩产去增产 DDR5——给卖方'不涨价就把晶圆切回 DDR5'的供给侧底气。HBM 晶圆投入占比 2026Q1 升至 29.5%(行业最高),HBM 订单排至 2027 下半年。
8/4 FMS 2026 闪存峰会,海力士联合闪迪发布下一代 HBF 首个 OCP 开放标准:单堆栈最高 512GB、带宽 0.4-3.0 TB/s,定位介于 HBM 与 SSD 之间,谷歌/Tenstorrent 为初始联盟成员。海力士从 HBM 向 HBF 延伸,巩固 AI 存储技术代际领先、拓宽产品矩阵。
高盛 8/7 测算当前 DRAM 供需缺口 4.9%、NAND 4.2%,均为近 15 年最高;涨价延续到 2027 全年,2027 HBM 均价 +87-100% 至约 2.9 美元/GB。Q3 涨价预期上修(瑞银 +32%、Jefferies +40-50%),仅 MS 警示 Q4 见顶。强化 HBM 售罄至 2027 的基本面锚。
三星公布 zHBM 概念:垂直堆叠 8 颗 HBM5(2029 年落地),瞄准超高端 AI 加速器,正面挑战海力士封装代际优势——2029 年前影响有限,但压制长期份额与估值溢价。
中金海外存储 8/25 定调:LTA 占比提升 → 价格波动率下降、盈利质量抬升,存储行业进入高自由现金流资本回报新阶段。为 40 万亿回购+三星 100 万亿'回报军备竞赛'提供框架性背书。
长鑫科技(CXMT)中报:2026 上半年营收 1503 亿元、同比 +874%,归母净利 776 亿元、同比 +3428%——大幅超越招股说明书预测(营收 1100-1200 亿、净利 500-570 亿),叠加 LPDDR6 量产落地。国产存储追赶速度超预期,是海力士 2027 后全球供给格局的中期变量(当前仍以 LPDDR/常规 DRAM 为主,HBM 尚处验证阶段)。
集邦 9/1 将 Q3 PC DRAM 合约价涨幅预期上调至 18-23%;36GB HBM3E 现货 2,100 美元较长协(50-70 万韩元)溢价 4-5 倍、16 层 HBM4 现货 3,500 美元,大客户亦拿不到合约全量——真实稀缺度远超 LTA 报告均价,涨价动能与 2027 重定价空间并存。
三星在 SEMICON Taiwan 2026 发布 3D 存储战略框架 CUBE:HBM5 性能提升至 HBM4E 的 2 倍(每瓦性能 +20%、热阻 -20%、兼容现有 GPU)、zHBM 将内存与 GPU 垂直集成(架构革命)、zNAND-O 2028 年送样。竞争焦点从参数竞赛转向'与 AI 芯片深度协同'的系统级创新——对海力士封装代际领先(6-12 个月)构成中期侵蚀。
商汤科技 9/7 中金早会交流:当前 HBM 紧缺到'有卡也焊不出服务器',判断未来 3 年存储结构性供需不足、2027 年 3-4 月更紧——下游 AI 应用方对短缺持续性的客户视角验证,与郭鲁正'短缺到 2030 底'、崔泰源'2027 最严重'形成产业链上下游交叉印证。
中金之昊 9/7 早会:Anthropic 8 月 ARR 不好、OpenAI 也不特别好,AI 不是通胀逻辑;主要矛盾切回'以算为主'——利好 GPU,走涨价逻辑的存储上游反倒不行。与市场当周以'存储涨价'叙事推升海力士 +8.3% 形成直接对冲,是中金内部对存储板块最重要的反向声音;若算力主线确实切回 GPU,存储涨价交易的持续性存疑。10/8 OpenAI 年化营收约 500 亿美元(原市场预期 700 亿)传闻引发 AI 硬件杀估值(费半 -3%、英伟达 -3%、美光 -4%+),此预警在需求叙事层面部分兑现;10/9 韩股休市未传导,10/13 复市观察。
KB Securities 9/28 报告:两大原厂存储库存已降至不足 10 天供应量,预计明年可用货源明显不足;HBM4 晶圆消耗约为传统 DRAM 3 倍、过渡期进一步挤压产能。与公司 9/22'年内续涨'、郭鲁正'短缺到 2030 底'、马斯克'2027 产能全数分配完毕'形成库存-产能-订单三重交叉验证。
三星预计 2027 年 HBM4 系列产量较 2026 年至少增加 2 倍(国海 9/29),此前业界报道其 HBM4 产能提升 40% 抢英伟达订单——追赶从'良率改善+低价抢单'进入产能军备阶段。叠加瑞银 2027 份额反超预测(三星 41% vs 海力士 37%)与 JPM 60%→40-46% 份额回落轨迹,海力士需靠 HBM4E/HBM5 代际差与 LTA 锁利维持'份额换利润'的平衡。
每经 10/2:三星对 2027 年 HBM4 报价每 Gb 至少 4.5 美元(4-5 美元区间中高位),较 HBM3E 约 1.5 美元涨逾三倍;海力士预计跟进相近定价、美光称'明年 HBM 价格可能大幅上涨'。对照瑞银 8/7 预测 2027 HBM4 约 3.5 美元/Gb(+60%),实际报价隐含卖方共识仍有上修空间;'三星低价抢单'担忧未兑现,扩产竞争下定价纪律反而强化。
Money Today 10/8:三星移动事业部(MX)要求供应商 Q4 供应量减 20-30%,背景是内存价格大涨侵蚀手机营业利润率、避免生产微利机型;IDC 测其 Q4 产量 5200 万部(Q3 5900 万)。双面信号:对存储厂是议价权的极致体现(下游为保利润砍产量),但若消费电子终端因涨价持续收缩,通用 DRAM/NAND 的'需求破坏'风险开始具象化——关注对 Q4 通用存储合约价的传导。
长鑫 4F²+VSG 用 DUV 绕开 EUV、单胞面积 -33%、年底 DDR5 RDIMM,Q2 份额 9.5%——动摇'技术代差溢价'长期叙事(10/13 海力士 -9.28% 的主因之一)。本周产业校准:三星内部评估 4F² 距 80%+ 良率的真正量产至少还需两年、'影响没有新闻报道那么大';美光 10/22 透露不计划研发 4F²;高盛:ASML 路线图本就确认 6F²→4F² 是三家共同的演进方向,长鑫份额 2Q25 3.97%→4Q25 7.67%。'独家颠覆'的短期叙事被弱化,架构并行的长期竞争风险仍在。
Q4 涨幅全面上修(常规 DRAM 3-8%→10-15%、NAND 0-5%→15-20%),企业级 SSD +23-28% 居首;现货 DDR5 16Gb 10 月 +5.8%、DDR4 4Gb +9% 续涨。'股价跌、价格涨'的背离在 Q4 合约价落地后进入验证期——中金 10/20:2027 HBM4 长协价预计翻倍、HBM4E 每 GB 5 美元出头。
马斯克 10 月言论成存储板块额外压力源:称美光定价合理、暗指三星/海力士定价'像敲诈',并以'中国 2028 年将生产巨量存储芯片'施压——市场解读为大甲方砍价话术(特斯拉是存储大买家),但经 X 平台放大后加剧波动;与三星 MX Q4 减产最高 30% 共同提示'涨价挤压下游'的反身性风险。
40 万亿回购 10/21 提前完成注销(三星 15 万亿 10/6 完成)——JPM 估算两巨头回购贡献上月韩股约 230 亿美元买盘的大部分,终止即真空;回购期内外资仍净卖海力士 25.66 万亿。10/21 外资终结 18 连卖转净买 1.51 亿美元,10/23 反转靠空头回补+抄底(KOSPI 12 个月前瞻 P/E 4.2x);但融资余额 38.6→33 万亿、券商现金 140→100 万亿,NH:74.18% 持有者亏损——反弹持续性取决于 10/28 财报能否引回趋势资金。
柏林 GTC 采访(10/22)直接反驳韩媒'超级周期 2029 结束'论——该论是 10/22 全球存储股抛售的叙事源头;英伟达将大量使用 LPDDR/HBM、首家把 LPDDR 引入数据中心(能效翻倍),对与长鑫合作持开放态度。大甲方对短缺时长的最新定调,与美光'FY27-28 更紧'、KB'库存不足 10 天'、韩财长'景气至少到 2027'交叉验证。
海力士+三星占 KOSPI 权重合计 57%,单一板块集中度极高。最新:9/1-10/2 外资主板净卖 20.31 万亿韩元(海力士 12.01 万亿、三星 5.19 万亿,22 个交易日仅 7 日净买入),海力士外资持股率跌破 50% 至 49.59%,筹码由散户单边承接;KOSPI Q3 暴跌近 20% 为 2020Q1 以来最差单季。集中度+外资主导的持筹结构使任何全球风险偏好收缩都会被放大——10/8 美股 OpenAI 冲击即待传导样本。
闪迪 8/5 盘后 Q4 营收 +372% 但下季指引低于预期约 6 亿、盘后跌 7-11%;西部数据云客户占比 89%。存储龙头指引低于预期可能加剧市场对'周期见顶'的担忧(摩根士丹利已警示 Q4 合约价可能见顶、盈利上调率从 92% 回落至 77%)。若 Q4 DRAM 合约价转负,存储超级周期叙事将受考验。
Counterpoint 8/10 数据三星 Q2 以 39% 重夺 DRAM 第一、海力士降至 26%、美光 25% 迫近;小摩预计 HBM 份额 2025 年 60%→2028 年 42%、英伟达 HBM 供应 2023 年 91%→2026 年 54%。归因 HBM ASP 下滑+早期 LTA 低价签署。LTA 锁定量价下限但让渡份额,'份额换利润'权衡是本轮新增实质风险——若份额流失加速,超级周期叙事的'海力士独大'前提将受考验。最新注脚:三星 10/8 公示 Q3 初值营业利润 107.4 万亿(史上首破百万亿),HBM 追赶下其盈利弹性亦在兑现。
Tom's Hardware 8/11:英伟达正测试 192/256GB 较低 HBM 配置,部分设计从 HBM4E 改为 HBM4、堆叠数或少于原宣布的 16 层——HBM 供应紧+价格高下的防御性降本。UBS 8/7 反而以出货量上调(2027 年 1,260 万颗)对冲单卡降容、上调英伟达 HBM 消耗量至 25.1bn Gb;但另有报道称英伟达削减单卡用量引发海力士 HBM '降价'、明年涨幅'仅 50%'而三星 80%(口径待核实)。HBM bit 增速与 ASP 的博弈是 2027 年最大供需变数。
DDR5 16Gb 现货 8/14 达 52.73 美元(3 月初约 39.67);但 8/20 华强北消费级 DDR4 16GB 零售较 7 月高点回落 15-20%,DDR4 16Gb(1Gx16)现货 66.00→61.50 美元。合约价涨幅亦收敛(Q3 DRAM +13-18% vs Q2 +58-63%)——'AI 高端涨、民用回调'双轨分化,若民用跌价向合约传导,周期见顶叙事将获数据支撑。
Counterpoint:Q2 HBM 份额三星 33%(Q1 21%)、海力士 50%(去年同期 64%)、美光 18%;三星 HBM4 出货占比 Q1 约 5%→Q2 约 35%、良率 +5ppt,预计占其下半年 HBM 营收 60%+;SEMICON Taiwan 再发布 CUBE 框架(HBM5 性能 2x HBM4E、zHBM 内存-GPU 垂直集成、zNAND-O 2028 送样)。'HBM 短板正在消除'(LS 证券),海力士需以 HBM4E/HBM5 代际领先维持溢价——若代际差收敛,份额与利润率'双输'情景概率上升(LS 已按 2027 HBM 营业利润率 60% 而非 80% 下调 TP 至 240 万)。对冲:三星 10/2 对 2027 HBM4 报价 4.5 美元/Gb 起(涨逾三倍)且三大厂定价一致——追赶以'提价'而非'降价'方式进行,短期对海力士 ASP 利好大于份额利空;但若 2027 产能翻倍兑现,量增+价稳组合仍将侵蚀海力士单位利润份额。
Q3 韩元兑美元升值约 14%,分析师三个月内下修海力士 Q3 营收/利润预期 5.3%/5%(共识降至 94.99/74.34 万亿);10/8 美股 OpenAI 年化营收约 500 亿美元、较市场预期 700 亿低约 200 亿,引发 AI 硬件链估值下修(费半 -3%、英伟达 -3%、美光/博通 -4%+),存储作为 AI 二阶受益品种跟随杀估值;叠加美联储纪要偏鹰、美债收益率高位,新兴市场资金持续流出(IIF 9 月 -263 亿美元)。该预警 10/13-15 全面兑现并放大:美 9 月 CPI 再超预期,KOSPI 年内第 10 次熔断、海力士周 -24.9%。若 Q3 财报(10/27)兑现下修后共识+超预期回报方案,压力有望释放。
长鑫 4F²+VSG 证明不依赖 EUV 也能把位元密度做至一线水平(单胞面积 -33%、密度 +30-50%),年底推服务器 DDR5 RDIMM;Q3 预告净利 534-549 亿元创史上最佳、高盛上调目标价至 130 元。本周校准:三星内部评估距真正量产(80%+ 良率)至少还需两年、美光不研发 4F²、ASML 路线图确认 4F² 是三家共同方向——'独家颠覆'叙事弱化。但 2027-28 通用 DRAM 定价权与份额假设仍需系统性下修:长鑫份额 2Q25 3.97%→4Q25 7.67%、今年平均可能突破 10%,两三年内 80%+ 市场属三巨头的前提下,'中国保供'正在改变服务器 DDR5 的定价边际。
韩国央行 10/22 一致维持政策利率 3.00%、上调 2026/27 增速预测至 3.3%/2.9%,行长偏鹰;高盛预测 2027Q1 加息 25bp 至 3.25%、不排除 11 月加息。FOMC 10/27-28 与 Q3 财报同周:加息概率虽降至 15% 以下、10 年期美债已跌破 5%,但宏观事件与个股裁决叠加,高波动状态下利率端的任何意外都会放大财报周的振幅。
TrendForce Q4 合约涨幅 +10-15% 为本轮最低(vs Q3 +40%、Q2 +80%),涨价斜率见顶信号与'缺货到 2030'并存;2018 年 5 月海力士创高点后,尽管 Q2/Q3 利润连创纪录,12 月股价仍较高点 -35%——本轮 OPQ 80% 的利润率史无前例,市场对'这不是正常化的盈利能力'定价谨慎。NAND 存在 2027Q2 末价格拐点风险(中金)。财报后 10/30 -7.08% 及美光/西数同步回调,显示'利好出尽'交易模式已启动。